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<img alt="반도체 기술 유출에 대만은 징역 10년·미국은 벌금 6천만 달러, 한국은 고작 징역 1년6개월" height="300" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/202609/20260904155814_184597.jpg" width="600" />
<figcaption><table width=600 style='margin-bottom:20px;'><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed;'>▲ 김용선 지식재산처장이 6월29일 정부대전청사에서 '기술유출·탈취 대응체계 확대개편 방안 브리핑을 하고 있다. <연합뉴스></td></tr></table></figcaption>
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[비즈니스포스트] 국가핵심기술이 해외에 유출되는 문제가 지속적으로 발생하고 있으나, 처벌은 솜방망이 수준이라는 비판이 끊이지 않고 있다. <br />
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특히 반도체와 같은 기술력 확보가 생존을 좌우하는 첨단 분야에서는 기술 유출이 치명적인 타격으로 이어지는 만큼, 입법적 보완과 처벌 강화가 시급하다는 목소리가 나온다. <br />
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4일 산업계 취재를 종합하면 국가핵심기술 유출 혐의로 재판에 넘겨진 반도체 기업 전직 임직원들에게 실형이 선고되고 있으나, 범죄의 파급력에 비해 형량이 낮다는 논란이 계속되고 있다. <br />
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지난 8월13일 SK하이닉스 전 직원 A씨는 산업기술보호법, 부정경쟁방지법 위반 혐의로 징역 1년6개월을 확정받았다. <br />
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중국 현지 법인에서 고객지원(CS)을 맡았던 A씨는 2022년 화웨이 자회사 하이실리콘으로 이직을 준비하는 과정에서 영업비밀 자료 186장을 출력하고 사진 5900장을 촬영해 유출했다. <br />
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1심 재판부는 기술 유출이 국가 경쟁력 약화로 이어질 수 있음을 인정하면서도, 유출된 정보가 제조에 직결되지 않는다는 점을 양형에 참작했다. 아울러 유출 자료 중 '하이브리드 본딩' 기술을 두고 산업통상자원부는 첨단기술이라는 의견을 냈으나 법원은 근거 부족을 이유로 들어 무죄로 판단했다. <br />
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2016년 삼성전자 전 임직원들이 국가핵심기술인 10나노급 D램 공정 기술을 유출한 사건 역시 사회적 논란에 휩싸인 바 있다.<br />
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중국 창신메모리(CXMT)가 2016년 설립된 직후 삼성전자 출신 인력을 영입하면서 기술 확보에 나섰고 이 과정에서 구체적인 기술 반출 행위가 적발됐다.<br />
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당시 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 D램 연구소 직원이었던 B씨 등은 창신메모리로 이직하기 전 4일에 걸쳐 '10나노급 D램 공정 정보'를 노트에 수기로 옮겨 적어 유출한 혐의 등으로 기소돼 일부는 6~7년 징역형을 받았고 일부 인원은 지금껏 재판을 받고 있다. <br />
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10나노 D램 공정기술은 삼성전자가 5년 동안 1조6천억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 국가핵심기술이다. 이에 국가 핵심기술을 뺀 범죄자에 대한 처벌이 너무 솜방망이가 아니냐는 비판이 거세게 일었다.<br />
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그 뒤 CXMT는 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 10나노 D램 양산에 성공했다. CXMT는 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 10%를 달성하며 삼성전자·SK하이닉스를 빠르게 추격하고 있다. <br />
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<img alt="반도체 기술 유출에 대만은 징역 10년·미국은 벌금 6천만 달러, 한국은 고작 징역 1년6개월" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/202411/20241118130337_272338.jpg" />
<figcaption><table width=100% class=img_table><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed;'>▲ 2016년 설립된 중국 창신메모리(CXMT)가 삼성전자 등 메모리 선두 업체에서 빼낸 기밀 기술을 활용해 7년 만에 세계에서 4번째로 10나노 D램 양산에 성공한 것으로 파악된다. <창신메모리></td></tr></table></figcaption>
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우리나라와 달리 글로벌 경쟁국들은 기술 유출을 국가안보 차원의 중범죄로 다루고 있다. <br />
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대만 법원은 TSMC의 2나노 공정 기술을 빼돌려 일본 도쿄일렉트론으로 이직한 전직 직원에게 징역 10년을 선고하고, 기술을 넘겨받은 도쿄일렉트론 대만 법인에도 1억5천만 대만달러(약 64억 원)의 벌금을 부과했다. <br />
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미국도 마이크론의 D램 영업비밀이 대만 UMC를 거쳐 중국 푸젠진화로 유출된 사건을 경제간첩 행위로 규정했다. <br />
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미국 정부는 푸젠진화를 기소함과 동시에 거래를 제한하는 수출통제 대상에 올렸고, UMC에는 6천만 달러(약 94억 원)의 벌금을 부과했다. <br />
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주요 반도체 경쟁국은 개인을 처벌할 뿐만 아니라 기술을 가져간 기업을 대상으로도 벌금, 거래 제한, 수출통제 등 강력한 제재를 병행하고 있다. 이에 우리나라에서도 기술유출에 대한 솜방망이 처벌 구조를 개선하기 위한 입법이 논의되고 있다. <br />
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김원이 더불어민주당 의원 등은 2026년 2월5일 국가핵심기술 유출과 관련한 법정형을 대폭 끌어올리는 '산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 일부개정법률안'을 발의했다. <br />
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현행법상 국외 유출 시 3년 이상의 유기징역 및 65억 원 이하의 벌금을 부과하도록 규정한 가중처벌 체계에서 하한선을 '7년 이상'으로 상향하고 벌금 상한을 '100억 원 이하'로 확대하는 것이 개정안의 주요 내용이다. <br />
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개정안을 발의한 김원이 의원 등 10인은 법률안 제안이유를 두고 "최근 반도체·바이오 등 첨단 분야에서 국가핵심기술·영업 비밀 유출 사건이 반복적으로 적발되고 기술유출 범죄에 대해 실형 선고가 증가하는 추세"라며 "평균 선고형이 낮다는 지적이 지속되는 등 현행 법정형만으로는 억지력 확보에 한계가 있다는 의견이 제기되고 있다"고 설명했다. <br />
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이들은 "국가핵심기술 및 산업기술 유출·침해범죄에 대한 법정형 수준을 상향함으로써, 기술유출 범죄에 대한 처벌의 실효성을 제고하고 국가경제 및 산업경쟁력에 대한 위해를 예방하려는 것"이라고 덧붙였다. 김나영 기자