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마이크론 '4F² D램' 포기 전략 패착으로 남나, 삼성전자와 SK하이닉스에 기회 될 가능성

김용원 기자 one@businesspost.co.kr
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마이크론 '4F² D램' 포기 전략 패착으로 남나, 삼성전자와 SK하이닉스에 기회 될 가능성
▲ 마이크론이 ‘4F² D램 신기술을 상용화하지 않겠다고 밝히며 한국 및 중국 경쟁사들과 다른 길을 선택했다. 이는 중장기 관점에서 패착으로 남게 될 수도 있다는 전문가의 분석이 나온다. 마이크론 로고와 반도체 전자기판 이미지. <연합뉴스>
[비즈니스포스트] 마이크론이 차세대 ‘4F² D램’ 기술을 상용화하지 않기로 했다. 반도체 전문가들은 이러한 선택을 두고 다소 엇갈린 평가를 내놓고 있다.

삼성전자 및 SK하이닉스와 경쟁에 마이크론이 불리해질 수 있다는 분석이 나오는 반면 기술적 효율성과 비용을 고려하면 합리적 선택이라는 해석도 제시된다.

26일(현지시각) 조사기관 퓨처럼그룹은 보고서를 내고 “마이크론이 4F² 대신 미세공정 및 3차원(3D) D램 개발에 집중하기로 한 것은 타당한 선택”이라고 평가했다.

4F²는 D램 메모리반도체의 기본 구성 요소인 셀 크기를 기존의 6F²보다 줄여 집적도와 성능, 전력효율 등을 개선할 잠재력이 있는 기술이다.

중국 CXMT가 2026년 말까지 4F² D램 생산을 시작하겠다는 계획을 10일 반도체 콘퍼런스에서 발표하면서 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사의 주가 하락을 이끌었다.

반면 마이크론은 21일 온라인 사업 설명회에서 4F² D램 기술을 장기간 개발해 왔지만 상용화를 포기하고 미세공정과 3차원 D램 등 다른 차세대 기술에 집중하겠다고 발표했다.

퓨처럼그룹은 마이크론이 이전부터 새로운 메모리반도체 기술의 경제성을 충분히 검증한 뒤 도입했던 만큼 이러한 전략은 긍정적이라는 분석을 전했다.

마이크론이 이미 D램 미세공정 기술로 집적도와 성능, 생산성을 개선하는 데 경쟁사보다 앞서 나가고 있는 만큼 무리하게 4F² 구조를 도입할 필요가 없다는 것이다.

삼성전자와 SK하이닉스가 D램 미세공정과 4F² 기술을 모두 개발하며 많은 자원을 투입하는 반면 마이크론은 과감하게 한 가지 기술에만 집중하고 있다는 점도 긍정적 평가를 받았다.

퓨처럼그룹은 마이크론의 메모리반도체 기술 발전 속도가 빨라지고 있으며 D램 신규 공정을 도입하는 계획을 구체적으로 수립했다는 점도 경쟁에 유리한 요소로 꼽았다.

다만 퓨처럼그룹은 마이크론의 차세대 미세공정 및 3차원 D램 기술도 아직 실제 경제성은 검증되지 않았다는 점을 변수로 지목했다.

삼성전자와 SK하이닉스, CXMT 등 경쟁사의 4F² 기술이 본격적으로 상용화되고 경쟁력을 인정받는다면 결국 마이크론이 뒤처지는 결과로 이어질 수 있다는 것이다.
 
마이크론 '4F² D램' 포기 전략 패착으로 남나, 삼성전자와 SK하이닉스에 기회 될 가능성
▲ SK하이닉스의 서버용 D램 전시용 제품. <연합뉴스>
반도체 전문 분석가 로버트 카스텔라노도 26일 뉴스레터를 통해 마이크론의 4F² D램 상용화 포기 결정은 과거 고대역폭 메모리(HBM) 사업에서 겪었던 패착을 재현할 가능성이 있다고 지적했다.

카스텔라노는 미국 반도체 전문 시장 조사기관 더인포메이션네트워크를 설립했다. 40년 넘게 글로벌 반도체 산업 전문가로 여러 매체에 칼럼을 기고한다.

HBM은 엔비디아의 인공지능 반도체를 비롯한 제품에 쓰이는 고사양 메모리반도체다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 전 세계 공급망을 지배하고 있다.

카스텔라노는 마이크론이 과거 HBM 대신 적층형 메모리반도체인 하이브리드 메모리 큐브(HMC)에 집중했지만 결국 상업성을 확보하지 못했다고 전했다.

마이크론은 결국 HBM 시장에 삼성전자와 SK하이닉스보다 늦게 진출하며 인공지능 시장 성장에 상대적으로 큰 혜택을 보지 못했다.

카스텔라노는 “마이크론이 4F² D램을 포기한 것은 HBM 시장에서 겪었던 패착을 반복하는 결과로 이어질 수 있다”며 잘못된 선택이 향후 경쟁에 불리한 요소로 남을 수 있다고 덧붙였다.

다만 마이크론은 20년에 걸쳐 4F² 기술을 연구하고 여러 시제품을 제작했지만 상용화를 추진할 만한 장점을 확인하지 못했다고 밝혔다.

메모리반도체 경쟁사들과 다른 길을 가겠다는 방침을 분명히 한 셈이다.

퓨처럼그룹에 따르면 삼성전자는 2028년 양산을 목표로 4F² D램 기술을 연구하고 있다. SK하이닉스도 4F² 및 3차원 D램 기술을 순차적으로 개발한다는 계획을 세웠다.

삼성전자와 SK하이닉스가 마이크론과 달리 4F² D램 기술 완성도를 높이고 경제성을 확보한다면 메모리반도체 시장 경쟁에서 앞서 나가고 중국의 추격도 방어할 수 있는 중요한 계기를 마련할 수 있다.

반면 마이크론의 예측대로 다른 기업들이 4F² D램의 기술 난이도와 생산성 등 여러 약점을 해결하지 못한다면 연구개발 및 생산 투자 자원을 낭비하는 데 그칠 가능성도 있다.

마이크론의 ‘선택과 집중’ 전략 성과가 결국 경쟁사들의 성과에 달린 셈이다.

카스텔라노는 “마이크론의 결정은 메모리반도체 제조 사업의 미래를 바꿀 수도 있는 결단”이라며 반도체 시장에서 잘못된 기술 선택은 돌이킬 수 없는 결과로 이어질 수 있다고 덧붙였다. 김용원 기자

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