[비즈니스포스트] 인텔이 이석희 전 SK하이닉스 대표이사 사장을 영입해 차세대 D램 개발 프로젝트에 속도를 내고 있는 것으로 파악된다.

고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 D램이 인공지능(AI) 반도체의 주요 병목 지점으로 떠오르자, HBM을 대체할 수 있는 '저전력 적층형 D램' 개발에 나선 것이다.

인텔이 독자적 D램 양산에 성공한다면 삼성전자와 SK하이닉스의 D램·HBM 주도권이 흔들릴 수 있다. 다만 기존 HBM을 완전히 대체하는 것은 쉽지 않을 것으로 예상된다.

립부 탄 인텔 최고경영자(CEO)는 미국 현지 시각 11일 '테크서지 팟캐스트'에 출연해 "예전에는 (메모리 반도체에) 투자하지 않았다. 왜냐하면 메모리는 일종의 범용 제품이었기 때문"이라며 "하지만 이제는 상황이 달라졌으며, 프로젝트 가운데 하나는 메모리의 새로운 아키텍처를 살펴보는 것"이라고 밝혔다.

그는 "SK하이닉스를 이끌었던 이석희 수석부사장을 고용한 것으로, 우리가 무엇을 생각하는지 대략 알 수 있을 것"이라며 "다만 아직 공개할 준비가 안 됐다"고 덧붙였다.

인텔은 지난 6월 이석희 전 SK하이닉스 대표를 파운드리(반도체 위탁생산) 수석부사장으로 영입했다. 당시 일각에서 이 수석부사장이 인텔의 차세대 메모리 연구개발에도 참여할 것이란 관측이 나왔는데, 립부 탄 CEO가 인터뷰를 통해 이를 확인해준 셈이다.

이 수석부사장은 인텔에서 반도체 경력을 시작하고 2013년 SK하이닉스에 합류한 뒤 HBM 개발을 주도한 인물이다. 2019년부터 2022년까지 SK하이닉스 대표까지 지냈다. 메모리와 시스템 반도체 전반을 이해하는 대표적 '기술 전문가'로 꼽힌다.

인텔은 현재 HBM을 대체할 수 있는 저전력 적층형 D램 'Z앵글 메모리(ZAM)'를 개발하고 있다. 이를 위해 일본 소프트뱅크와 합작사 '사이메모리'도 설립했다.

Z앵글 메모리는 8개의 D램과 로직 컨트롤러를 적층하는 구조의 적층형 D램으로, 기존 HBM의 한계인 막대한 전력 소비와 발열, 높은 가격을 해결하기 위한 새로운 메모리반도체다.

HBM은 수직 형태의 '실리콘 관통 전극(TSV)' 통로를 뚫는 방식을 활용해 특정 기둥에 기계적 응력과 열이 집중된다는 문제가 있다. 반면 Z앵글 메모리는 배선을 대각선·사선(Z앵글) 형태로 배치해 열을 칩 전체로 분산할 수 있다.

인텔은 Z앵글 메모리가 기존 HBM보다 소비 전력을 50% 낮추고 제조 비용도 40% 절감할 수 있을 것으로 보고 있다. Z앵글 메모리의 프로토타입 공개 및 상용화는 2028~2030년이 될 것으로 예상된다.

팻 겔싱어 전 인텔 최고경영자는 지난 7월 프랑스에서 열린 유럽 AI 콘퍼런스 '레이즈 서밋 2026'에서 "HBM은 현재 AI가 요구하는 단기적 수요를 만족시킬 수 있는 가장 나은 선택일 뿐"이라며 "AI가 가져올 잠재력을 모두 실현하려면 새로운 메모리 아키텍처를 개발해야 할 필요가 있다"고 말했다.
 

인텔의 독자 규격 메모리 개발은 삼성전자와 SK하이닉스의 D램·HBM 사업에 위협으로 다가올 수 있다.

Z앵글 메모리가 저전력과 가성비를 무기로 HBM 시장을 잠식할 가능성이 있기 때문이다.

최근 퀄컴도 HBM 대신 저전력 D램 LPDDR을 수직으로 적층하는 '고대역폭컴퓨팅(HBC)' 방식의 차세대 메모리 아키텍처를 도입하는 등 메모리의 전력 소모와 발열을 줄이려는 시도가 활발해지고 있다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 매출 기준 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 58%, 삼성전자가 21%로, 국내 기업이 합산 79%를 차지하고 있다.

다만 HBM을 완전히 대체하는 차세대 D램을 만드는 것은 쉽지 않을 것으로 예상된다.

인텔은 과거 D램과 낸드의 장점을 결합한 '옵테인 메모리'라는 독자 규격을 개발하고도 수율과 제조 단가를 맞추는 데 실패해 2022년 결국 관련 사업을 중단했다. 기술을 개발하는 것보다 이를 상용화하는 것이 더 어려운 것이다.

또 이미 AI 가속기 시장의 80% 이상을 점유하는 엔비디아의 하드웨어·소프트웨어 구조는 이미 HBM 생태계에 맞춰 구축돼 있는 만큼, 이를 한 번에 대체하는 것은 사실상 불가능해 보인다.

이에 따라 인텔이 Z앵글 메모리 상용화에 성공하더라도 테슬라 등 빅테크의 자체 AI 칩이나 특정 추론용 AI 칩에 적용돼 HBM의 공급 부족을 일부 메우는 보완재 역할을 할 것이란 관측이 나온다.

일각에서는 인텔이 참여하는 '테라팹'에서 차세대 메모리를 생산할 가능성도 제기된다.

일론 머스크 테슬라 최고경영자가 주도하는 '테라팹'은 시스템 반도체 생산뿐만 아니라 메모리 생산, 첨단 패키징까지 한 거점에서 모두 진행하는 프로젝트로, 이르면 2028년 가동을 시작할 것으로 예상된다.

해외 IT 매체 Wccftech는 "인텔은 과거 여러 번 차세대 D램 개발에 도전했지만, 다양한 문제에 직면해 시장에 진출하는 데 실패했다"며 "현재 전체 메모리 시장이 공급 부족에 직면하고 있는 시점에 인텔이 D램 시장에 다시 한번 복귀하려 하고 있다"고 보도했다. 나병현 기자